击穿区 雪崩区物理化学25 阅读1.［半导体二极管特性］伏安特性超过击穿起 始点，反向电流增大的整个区域。见：rectifica- tion ;semiconductor 237，66,245,210,119,118 2.［发光二极管］伏安特性超过击穿起始点， 反向电流增大的整个区域。162
