微硅加速度计

采用硅片材料制成的一种微加速度计。微硅加速度计主要分压阻式和差分电容式两种。下图是微硅加速度计结构分解图。摆检测质量由平板硅片研制成，面积为3000 μm2，由两根5μm厚的薄硅片挠性梁连接在框架结构上；检测质量、挠性梁及框架是由一片单晶硅经各向异性刻蚀而成。阳极焊接在两片硼硅酸玻璃片之间。玻璃片内表面上用淀积金属的方法产生电极及引线图形。美国德雷珀公司研制的微硅加速度计芯片尺寸为300μm × 600 μm，量程为±50 g，偏置稳定性为0.25 ～ 1 mg。目前微硅加速度计已被用于军用武器（炮弹、战术导弹）、航天、车辆、医疗等领域，在自动装配线、电梯平稳控制、高速列车、深油井钻探等方面也取得成功应用。微硅加速度计的加工方法基本上有3种：面加工、体加工（硅多层“三明治和X光同步辐射光刻电成型及微压塑工艺，但目前多采用前两种。随着加工技术及电子技术的提高，微硅加速度计将会走向更多的应用领域。